عزّز أداء حاسوبك مع وحدة الذاكرة Patriot Signature Line 8GB DDR5 5600 MHz. صُمّمت لمنصات Intel من الجيل الجديد، وتوفّر سرعة لافتة تبلغ 5600 MT/s لاستجابة مثالية عند تعدد المهام وتشغيل التطبيقات المتطلبة. وبفضل تقنية ECC على الشريحة (on-die ECC) والإدارة الذكية للطاقة (PMIC)، تمنحك استقرارًا أفضل واستهلاكًا أقل للطاقة. ومع توافق على أوسع نطاق وضمان محدود مدى الحياة، فهي مثالية لترقية نظامك بثقة تامة.
كن أوّل من يقيّم هذا المنتج وساعد العملاء الآخرين.
إبداء رأيي
الأسئلة الشائعة حول هذا المنتج
هل تدخل وحدة الذاكرة DDR5 هذه في لوحة أم تدعم DDR4؟
لا: موصل DDR5 مختلف عن موصل DDR4. لذا لا بد من لوحة أم تدعم DDR5 — فلا يمكن إدخال الوحدة في غيرها.
هل تناسب وحدة ذاكرة Patriot هذه حاسوبًا محمولًا؟
لا: فهي تُركَّب في فتحة DIMM بـ288 سنًّا في الحواسيب المكتبية. أما الحاسوب المحمول فيتطلب وحدة SO-DIMM أقصر.
ما زمن التأخير في وحدة ذاكرة Patriot هذه؟
46-46-46-90 بتردد 5,600 MHz — أي CAS 46. ففي DDR5 يرتفع رقم زمن التأخير، لكن التردد يرتفع بقدر أكبر: فيبقى معدل نقل البيانات أعلى منه في DDR4.
ما دائرة PMIC المدمجة في وحدة الذاكرة هذه؟
هي دائرة لإدارة الطاقة مدمجة في الوحدة: إذ يجري تنظيم الجهد على الوحدة نفسها لا على اللوحة الأم. وهي ميزة خاصة بـDDR5.
هل هذا المنتج طقم من وحدتين؟
لا: إنها وحدة واحدة لا تشغل سوى فتحة واحدة. وتبقى الفتحات الأخرى متاحة للإضافة لاحقًا.
هل تصحّح وحدة الذاكرة هذه أخطاء الذاكرة؟
نعم، عبر تصحيح الأخطاء on-die — أي داخل الشريحة. وهي آلية خاصة بـDDR5، تختلف عن تقنية ECC في الخوادم.
هل وحدة ذاكرة Patriot بسعة 8 جيجابايت DDR5 هذه جديدة ومشمولة بالضمان؟
نعم، إنها منتج Patriot Memory جديد، المرجع PSD58G560082، وهي وحدة ثنائية الوجه تعمل بجهد 1.1 فولت. والفاتورة تقوم مقام سند الضمان لمدة سنة واحدة. ورقة البيانات التقنية: Patriot Signature Line DDR5 بسعة 8 جيجابايت.
حسّن أداء حاسوبك المحمول مع وحدة الذاكرة Lexar 8GB DDR4 3200MHZ SO-DIMM. توفّر لك هذه الوحدة سرعة معالجة استثنائية تحسّن استجابة نظامك. وبسعتها البالغة 8 جيجابايت، يمكنك تشغيل عدة تطبيقات في آن واحد دون تباطؤ. رقِّ حاسوبك المحمول واستمتع بتجربة سلسة دون انقطاع. عزّز إنتاجيتك ومتعتك مع وحدة الذاكرة L
تعمل مع منصات AMD وIntel الحديثة. إدارة التغذية الكهربائية مدمجة في الوحدة (PMIC) بجهد 1.1 V وتصحيح للأخطاء on-die، مع استهلاك أقل بنحو 8 % مقارنة بـDDR4.
للحواسيب المحمولة والصغيرة: صيغة SO-DIMM بـ262 سناً لا تُركب في وحدة مكتبية. زمن استجابة CAS 46-45-45-90، وجهد 1.1 V، ومطابقة JESD79-5A، على منصات Intel وAMD.